发明名称 METHOD FOR ELABORATING OF HIGH- VOLTAGE FIELD TRANSISTORS WITH ISOLATED GATE
摘要
申请公布号 BG47925(A1) 申请公布日期 1990.10.15
申请号 BG19890087527 申请日期 1989.03.07
申请人 INSTITUT PO MIKROELEKTRONIKA 发明人 GORANOVA, EKATERINA A.;BOJANOVA, ANI L.;RANEV, VANTSETI Z.;BOGOEV, CHAVDAR K.
分类号 H01L29/76;(IPC1-7):H01L29/76 主分类号 H01L29/76
代理机构 代理人
主权项
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