发明名称 PREPARING SUBSTRATES
摘要 Afin de faire croître des dispositifs monocristallins semi-conducteurs sur un substrat incorrectement adapté, on obtient un substrat secondaire par croissance d'une épicouche divisée en mésas (21) sur le substrat primaire. On fait subir un recuit à ladite épicouche ce qui soulage la contrainte et provoque des dislocations aboutissant de préférence sur les côtés des mésas.
申请公布号 WO9010950(A1) 申请公布日期 1990.09.20
申请号 WO1990GB00305 申请日期 1990.02.27
申请人 BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY 发明人 TUPPEN, CHRISTOPHER, GEORGE;GIBBINGS, CHRISTOPHER, JOHN
分类号 H01L21/20;H01L21/205;H01L21/324 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
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