Afin de faire croître des dispositifs monocristallins semi-conducteurs sur un substrat incorrectement adapté, on obtient un substrat secondaire par croissance d'une épicouche divisée en mésas (21) sur le substrat primaire. On fait subir un recuit à ladite épicouche ce qui soulage la contrainte et provoque des dislocations aboutissant de préférence sur les côtés des mésas.
申请公布号
WO9010950(A1)
申请公布日期
1990.09.20
申请号
WO1990GB00305
申请日期
1990.02.27
申请人
BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY
发明人
TUPPEN, CHRISTOPHER, GEORGE;GIBBINGS, CHRISTOPHER, JOHN