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<P>Un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs comprend les étapes suivantes : on forme un motif de résine photosensible 3 sur une marche 2a, 2b qui a été préalablement formée sur une surface d'un substrat semi-conducteur 1, on dépose une couche isolante 4a, 4b, 4c jusqu'à une hauteur approximativement égale à celle de la marche, sur la totalité de la surface, en procédant par dépôt chimique en phase vapeur à basse température, pour former ainsi une couche isolante présentant une discontinuité au niveau de la marche, et on aplanit la marche en enlevant la couche isolante 4c et la résine photosensible 3 qui restent sur la marche, par un procédé de décollement.</P>
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