| 发明名称 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供可形成Hf<SUB>1-x</SUB>Al<SUB>x</SUB>(0＜x＜0.3)氧化膜的半导体装置的制造方法，该氧化膜具有作为栅绝缘膜所期望的特性。所述半导体装置的制造方法包括如下步骤：(a)在反应室内加热硅基板的步骤；和(b)向上述硅基板的表面供给含有原料气、氮化气和促氮化气的成膜气体，从而以热化学气相沉积在上述加热了的硅基板上堆积相对介电常数比氧化硅大的Hf<SUB>1-x</SUB>Al<SUB>x</SUB>O:N(0.1＜x＜0.3)膜的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN100352017C | 申请公布日期 | 2007.11.28 |
| 申请号 | CN03820517.3 | 申请日期 | 2003.03.17 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 山口正臣 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/318(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁香兰 |
| 主权项 | 权利要求书1、半导体装置的制造方法，其包括如下步骤：(a)在反应室内加热硅基板的步骤；和(b)向所述硅基板的表面供给含有原料气、氮化气和促氮化气的成膜气体，从而在所述加热了的硅基板上以热化学气相沉积堆积相对介电常数比氧化硅大的绝缘膜的步骤，其中，所述原料气为在载运气体中含有金属化合物的气体，所述金属化合物含有Hf和Al中的至少一种元素，所述促氮化气为含有氢的气体。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||