发明名称 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH02192739(A) 申请公布日期 1990.07.30
申请号 JP19890012705 申请日期 1989.01.20
申请人 SANYO ELECTRIC CO LTD 发明人 MATSUMOTO FUMIO
分类号 H01L29/812;H01L21/338;H01L29/778 主分类号 H01L29/812
代理机构 代理人
主权项
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