Symmetrical semiconductor power device and method for its manufacture.

摘要

L'invention concerne un dispositif semiconducteur de puissance symétrique muni de caissons périphériques, ainsi qu'un procédé de fabrication d'un tel dispositif. Une couche épitaxiale P(N) 23 essentiellement polycristalline affleure une face principale S1 du dispositif au moyen de sillons 21 obtenus par gravure et coiffés d'une zone périphérique P(N) 25. Une couche P(N) 22 est diffusée entre la couche 23 et une couche monocristalline N(P) 20 pour déterminer une jonction J2 que les sillons 21 et la zone 25 permettent de ramener à la face S1. Application aux dispositifs bipolaires symétriques, en particulier aux thyristors ouvrables par la gâchette.