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<P>L'invention concerne un composant de mémoire semi-conductrice rémanente.</P><P>Il comprend une région de champ en oxyde épais, des première et seconde régions actives entourées par la région de champ, des première et seconde couches d'isolation de grille situées sur les première et seconde régions activées, une première grille de faible résistance formée sur les première et seconde couches d'isolation de grille, une troisième couche d'isolation située sur la première grille de faible résistance, une seconde grille de faible résistance formée sur la troisième couche d'isolation, une région de canal 13 située en dessous de la première couche d'isolation de grille et formée par la première grille, et un drain et une source fortement dopés, d'un type opposé à celui du substrat 11 et séparés par la région de canal 13.</P>
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