| 发明名称 | 电子器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 介绍一种改进的电子器件及其制造方法。该器件，比如说是一种其中带有引线，模压塑料封装的IC芯片。在模压工序之前，将IC芯片，连同引线结构，在高真空条件下涂覆一层氮化硅或其它电绝缘材料，以便保护IC芯片免遭通过封装的裂痕或间隙入侵的湿气的侵蚀。在IC芯片及其连带的结构表面清洗之后，用等离子CVD法很方便地实施氮化硅层的涂覆。 | ||
| 申请公布号 | CN1041849A | 申请公布日期 | 1990.05.02 |
| 申请号 | CN89108372.3 | 申请日期 | 1989.10.12 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;浦田一男;广濑直树;小山到;今任慎二;中下一寿 |
| 分类号 | H01L21/50;H01L21/98 | 主分类号 | H01L21/50 |
| 代理机构 | 中国专利代理有限公司 | 代理人 | 肖掬昌;曹济洪 |
| 主权项 | 1、一种用模压材料封装的电子器件的制造方法，所说的方法包括的步骤是： 用有机导电膏将电子器件装配在引线框架上； 将所说的器件与所说的引线框架实行电连接； 将装有所说的器件的引线框架放入真空室； 将真空室抽空至不高于10-2Torr的压力，以便排除所说的有机导电膏挥发的气体；以及 封装所说的电子器件。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||