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发明名称 METHOD FOR MEASURING LATTICE DEFECTS IN A SEMICONDUCTOR
摘要
申请公布号 EP0273395(A3) 申请公布日期 1990.04.25
申请号 EP19870119146 申请日期 1987.12.23
申请人 FUJITSU LIMITED 发明人 HIROSHI, KANETA;TSUTOMU, OGAWA;HARUHISA, MORI;KUNIHIKO, WADA
分类号 G01N29/00;G01N29/07;(IPC1-7):G01N29/00 主分类号 G01N29/00
代理机构 代理人
主权项
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