发明名称 VERFAHREN ZUR AUSBILDUNG OHMSCHER KONTAKTE AUF N-TYP-SILIZIUM MIT NIEDRIGER DOTIERUNGSKONZENTRATION
摘要
申请公布号 DD276180(A1) 申请公布日期 1990.02.14
申请号 DD19880320526 申请日期 1988.10.06
申请人 VEB WERK FUER FERN SEHELEKTRONIK,DD 发明人 KUNKEL,REINHARD,DD;LABRENZ,HERRMANN,DD;SZCZYPIOR,HORST,DD;RIES,DIETMAR,DD;MUNTE,HANS-JOACHIM,DD
分类号 H01L21/285;(IPC1-7):H01L21/285 主分类号 H01L21/285
代理机构 代理人
主权项
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