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Un circuit accélérateur est utilisé dans une puce semiconductrice du type qui comprend un substrat de type P, une pluralité de transistors NPN étant intégrés dans une de ses surfaces. Ces transistors comprennent un premier transistor NPN avec une base qui reçoit un signal de commande, un collecteur couplé à un bus de tension et un émetteur qui commande une première résistance, ainsi qu'une base d'un deuxième transistor NPN et une capacité parasite de dimensions réduites. Le deuxième transistor NPN comprend un collecteur couplé à un bus de tension et un émetteur qui commande une deuxième résistance et une capacité parasite de grandes dimensions. Le circuit accélérateur est composé d'un transistor PNP avec un émetteur couplé à la capacité de grandes dimensions, une base couplée à un point de branchement de la première résistance et un collecteur couplé au substrat. Ce transistor PNP comprend un émetteur et une base composée de régions dopées dans le substrat, de formes identiques à celles de la base et du collecteur de chaque transistor NPN. Le collecteur du transistor PNP est composé de tout le substrat situé sous les transistors NPN. |
