| 发明名称 |
TRANSISTORE MOS A CANALE N CON LIMITAZIONE DELL'EFFETTO DI PERFORAZIONE (PUNCH-THROUGH) ERELATIVO PROCESSO DI FORMAZIONE. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT1214615(B) |
申请公布日期 |
1990.01.18 |
| 申请号 |
IT19850021201 |
申请日期 |
1985.06.19 |
| 申请人 |
SGS ATES COMPONENTI ELETTRONICI S.P.A.ORA SGS-THOMSON MICROELECTRO- |
发明人 |
PAOLO CAPPELLETI;MARINA TOSI |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L29/10;H01L29/78;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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