| 摘要 |
L'invention concerne un atténuateur variable (1) ayant des première (2) et seconde (5) dérivations configurées en T ponté, en topologies T ou PI, chacune des dérivations comportant au moins une résistance (10) à FET (transistor à effet de champ) variable en tension. Ladite résistance à FET variable comprend un réseau de FET comprenant une pluralité de segments (Qn) de FET dont chacun a une largeur de grille prédéterminée, ainsi qu'un réseau diviseur de tension comportant une pluralité de résistances (Rn) fixes couplées aux grilles de la pluralité de segments de FET, afin de fournir une tension de grille prédéterminée différente à chacun des segments de FET. On choisit la largeur de chacun des segments de FET ainsi que la résistance de chacune des résistances fixes pour établir une relation prédéterminée entre la tension de commande et la résistance de canal de la résistance à FET variable en tension, afin d'établir une relation présélectionnée entre la tension de commande appliquée à la première dérivation et le rapport d'atténuation de l'atténateur. |
