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发明名称 MANUFACTURE OF VERTICAL TYPE CONDUCTIVITY-MODULATION MOSFET SUBSTRATE
摘要
申请公布号 JPH01253279(A) 申请公布日期 1989.10.09
申请号 JP19880080932 申请日期 1988.04.01
申请人 FUJI ELECTRIC CO LTD 发明人 UENO KATSUNORI
分类号 H01L29/68;H01L29/739;H01L29/78 主分类号 H01L29/68
代理机构 代理人
主权项
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