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发明名称 INSULATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH01241869(A) 申请公布日期 1989.09.26
申请号 JP19880070611 申请日期 1988.03.23
申请人 NEC CORP 发明人 TERADA KAZUO
分类号 H01L29/78;H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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