首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 PROCESS FOR FORMING ISOLATED SILICON REGIONS AND FIELD-EFFECT DEVICES ON A SILICON SUBSTRATE
摘要
申请公布号 SG86288(G) 申请公布日期 1989.07.14
申请号 SG19880000862 申请日期 1988.12.07
申请人 INTEL CORPORATION 发明人
分类号 H01L29/78;H01L21/20;H01L21/263;H01L21/336;H01L21/761;H01L21/762;H01L27/00;H01L27/06;H01L29/06;(IPC1-7):H01L21/20;H01L21/76 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com