发明名称 雷射驱动装置
摘要 本发明之雷射驱动装置包括一雷射、第一及第二电流源、一电流放大器,及第一和第二电晶体,当该第一电晶体关闭时,来自该第一电流源的一第一电流可提供给该电流放大器,其中电流可放大,以产生提供给雷射之一雷射电流,因此,雷射可导通,在此期间,该第二电晶体可导通,以允许一第二电流从一电源供应节点流入该第二电流源。当该第一电晶体导通时,整个或部份的第一电流可藉由第一电晶体而流入第二电流源,此可减少将电流提供给电流放大器,如此雷射电流可使雷射关闭,在此期间,该第二电晶体可关闭。第一及第二电流的值可透过一设定的电流值决定。在雷射导通状态期间提供给雷射的雷射电流值可透过该第一电流提供。因此,透过该设定的电流值,雷射电流的一想要值可提供给雷射。透过具有该电流放大器,第一及第二电流的值可小于该雷射电流的值。当该雷射流通增加时,此可抑制由第一及第二电源与第一及第二电晶体所增加的功率消耗。
申请公布号 TW474057 申请公布日期 2002.01.21
申请号 TW089124785 申请日期 2000.11.22
申请人 松下电器产业股份有限公司 发明人 田手原 健一;中森 清;赤木 俊哉
分类号 H01S3/096;G11B7/125 主分类号 H01S3/096
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种雷射驱动装置,其包含: 一雷射; 一第一电流源,用以提供一第一电流,该第一电流 具有与一组电流値有关之一电流値; 一第二电流源,用以接收一第二电流,该第二电流 具有与该组电流値有关之一电流値; 一电流放大器,用以放大来自该第一电流源之一电 流,以产生一雷射电流;及将该雷射电流提供给雷 射; 一第一电晶体,其是在该第一电流源与该第二电流 源之间连接,及 一第二电晶体,其是在用以接收一电源供应电压的 电源供应节点与第二电流源之间连接,该第二电晶 体可与互补第一电晶体导通/关闭。2.如申请专利 范围第1项之装置,其中该雷射之一阳极是连接至 电源供应节点,而且该电流放大器包含: 一第一NPN电晶体,其是在该第一电流源与一接地节 点之间连接,用以接收一接地射极之接地电位; 一第二NPN电晶体,其具有一集极,其连接至该电源 供应节点;一基极,其连接至该第一NPN电晶体;及一 基极,其连接至该第一NPN电晶体之一集极;及 一第三NPN电晶体,其是在该雷射之一阴极与具有一 接地射极的接地节点之间连接,该第三NPN电晶体之 一基极是连接至该第一NPN电晶体之基极。3.如申 请专利范围第2项之装置,其中该电流放大器进一 步包含: 复数个第四NPN电晶体,其是在该雷射的阴极及与射 极接地的该第三NPN电晶体并联的接地节点之间连 接,该等第四NPN电晶体的基极是连接至该第一NPN电 晶体的基极。4.如申请专利范围第1项之装置,其中 该雷射之一阳极是连接至该电源供应节点,而且该 电流放大器包含: 一第一n通道MOS电晶体,其是在该第一电流源与用 以接收接地电位的一接地节点之间连接; 一第二n通道MOS电晶体,其是在该电源供应节点与 该第一n通道MOS电晶体的一闸极之间连接,该第二n 通道MOS电晶体之一闸极是连接至该第一电流源;及 一第三n通道MOS电晶体,其是在该雷射之一阴极与 接地节点之间连接,该第三n通道MOS电晶体之一闸 极是连接至该第一n通道MOS电晶体的闸极。5.如申 请专利范围第4项之装置,其中该电流放大器进一 步包含: 复数个第四n通道MOS电晶体,其是在该雷射的阴极 及与该第三n通道MOS电晶体并联的接地节点之间连 接,该第四n通道MOS电晶体的闸极是连接至该第一n 通道MOS电晶体的闸极。6.如申请专利范围第1项之 装置,其中该第一电晶体是一NPN电晶体,该NPN电晶 体具有连接至该第一电流源之一集极、及连接至 该第二电流源之一射极,及 该第二电晶体是一NPN电晶体,该NPN电晶体具有连接 至该电源供应节点之一集极、及连接至该第二电 流源之一射极。7.如申请专利范围第1项之装置,其 中该等第一及第二电晶体是n通道MOS电晶体。8.如 申请专利范围第1项之装置,其进一步包含: 一第一二极体,其具有连接至该第一电流源之一阳 极、及连接至该电流放大器之一阴极;及 电压施加装置,用以在与该第一二极体有关的一顺 向方向提供一预定电压。9.如申请专利范围第8项 之装置,其中该电压施加装置包含; 一第四电流源,用以提供一第四电流; m个第二二极体,其是在该第四电流源与该第一二 极体的阴极之间串联;及 一第三电晶体,其具有连接至该电源供应节点之一 集极、连接至该第一二极体的阳极之一射极,及连 接至该第四电流源之一基极。10.如申请专利范围 第9项之装置,其中该m値是2。11.如申请专利范围第 9项之装置,其中该电压施加装置进一步包含: n个第三二极体,其是在该第三电晶体的射极与该 第一二极体的阳极之间串联。12.如申请专利范围 第9项之装置,其进一步包含: 一第五电流源,其连接至该第一二极体之阴极,用 以接收一第五电流。13.如申请专利范围第9项之装 置,其中该电压施加装置进一步包含: 一电阻,其是在该第三电晶体的射极与该第一二极 体的阳极之间连接。14.如申请专利范围第9项之装 置,其中该等第二二极体之其中每一者具有被此连 接之一集极及一基极。15.如申请专利范围第1项之 装置,其进一步包含一第三电流源,该第三电流源 是连接至与该第一电晶体互接之一节点:及该接第 二电流源,用以接收一第三电流。16.如申请专利范 围第15项之装置,其进一步包含: 第一二极体,其具有连接至该第一电流源之一阳极 及连接至该电流放大器之一阴极;及 电压施加装置,用以在与该第一二极体有关的一顺 向方向提供一预定电压。17.如申请专利范围第16 项之装置,其中该电压施加装置包含: 一第四电流源,用以提供一第四电流: m个第二二极体,其是在该第四电流源与该第一二 极体的阴极之间串联:及 一第三电晶体,其具有连接至该电源供应节点之一 集极、连接至该第一二极体的阳极之一射极,及连 接至该第四电流源之一基极。18.如申请专利范围 第17项之装置,其中该m値是2。19.如申请专利范围 第17项之装置,其中该电压施加装置进一步包含: n个第三二极体,其是在该第三电晶体的射极与该 第一二极体的阳极之间串联。20.如申请专利范围 第17项之装置,其进一步包含: 一第五电流源,其连接至该第一二极体之阴极,用 以接收一第五电流。21.如申请专利范围第17项之 装置,其中该电压施加装置进一步包含: 一电阻,其是在该第三电晶体的射极与该第一二极 体的阳极之间连接。22.如申请专利范围第17项之 装置,其中该等第二二极体之其中每一者具有彼此 连接之一集极及一基极。图式简单说明: 图1是本发明的具体实施例1之一雷射驱动装置整 体形式图。 图2是图1的雷射驱动装置操作描述之一时序图解 。 图3是图1的另一雷射驱动装置图式。 图4是本发明的具体实施例2之一雷射驱动装置整 体形式图。 图5是图4的雷射驱动装置操作描述之一时序图解 。 图6是本发明的具体实施例3之一雷射驱动装置整 体形式图。 图7是本发明的具体实施例4之一雷射驱动装置整 体形式图。 图8是本发明的具体实施例5之一雷射驱动装置整 体形式图。 图9是一传统雷射驱动装置的整体形式图。
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