| 主权项 |
1.一种影像感测器,其包含: 一形成于一基板中且接收一第一颜色之第一光电 二极体; 一形成于该基板中远离该第一光电二极体,且接收 一具有一大于该第一颜色之波长的波长之第二颜 色之第二光电二极体; 一形成于该基板中远离该第一光电二极体与该第 二光电二极体,且接收一具有一大于该第二颜色之 波长的波长之第三颜色之第三光电二极体;及 一形成于包括该第一光电二极体至该第三光电二 极体之该基板上的钝化层,且其具有不同的区域厚 度,该等厚度之量値按以下顺序增加:该钝化层之 一对应于一第一颜色区域之第一区域、该钝化层 之一对应于一第二颜色区域之第二区域及该钝化 层之对应于一第三颜色区域之第三区域。 2.如请求项1之影像感测器,其中该钝化层包括一氮 化材料。 3.如请求项1之影像感测器,其进一步包含一形成于 该钝化层与该第一光电二极体至该第三光电二极 体之每一者之间的多层结构且该多层结构包括复 数个金属线与复数个绝缘层。 4.如请求项3之影像感测器,其中该等复数个绝缘层 包括一氧化材料。 5.如请求项3之影像感测器,其中形成于该第三光电 二极体上方的该钝化层之该第三区域具有一范围 为自大约2,000 至大约30,000 的厚度。 6.一种制造一影像感测器之方法,其包含: 形成一接收一第一颜色之第一光电二极体,形成一 远离该第一光电二极体且接收一具有一大于该第 一颜色之波长的第二颜色之第二光电二极体,及形 成一远离该第一光电二极体与该第二光电二极体 且接收一具有一大于该第二颜色之波长的第三颜 色之第三光电二极体; 在一形成有该第一光电二极体至该第三光电二极 体之基板结构上形成一钝化层;及 选择性地蚀刻该钝化层使得该钝化层具有不同的 区域厚度,该等厚度之量値按以下顺序增加:该钝 化层之一对应于一第一颜色区域之第一区域、该 钝化层之一对应于一第二颜色区域之第二区域及 该钝化层之对应于一第三颜色区域之第三区域。 7.如请求项6之方法,其中该钝化层包括一氮化材料 。 8.如请求项6之方法,在形成该第一光电二极体至该 第三光电二极体之后,进一步包含形成一包括复数 个金属线与复数个绝缘层之多层结构。 9.如请求项8之方法,其中该等复数个绝缘层包括一 氧化材料。 10.如请求项8之方法,其中形成于该第三光电二极 体上方的该钝化层之该第三区域具有一范围为自 大约2,000 至大约30,000 的厚度。 11.如请求项6之方法,其中在该钝化层之该选择性 蚀刻中该钝化层之一蚀刻厚度之范围为自大约100 至大约10,000 。 12.一种制造一影像感测器之方法,其包含: 形成一接收一第一颜色之第一光电二极体,形成一 远离该第一光电二极体且接收一具有一大于该第 一颜色之波长的第二颜色之第二光电二极体,及形 成一远离该第一光电二极体与该第二光电二极体 且接收一具有一大于该第二颜色之波长的第三颜 色之第三光电二极体; 在一形成有该第一光电二极体至该第三光电二极 体之基板结构上形成一钝化层; 以一预定厚度蚀刻该钝化层之一对应于该第一颜 色区域与该第二颜色区域之区域;及 以一预定厚度蚀刻该钝化层对应于该第一颜色区 域之另一区域。 13.如请求项12之方法,其中该钝化层包括一氮化材 料。 14.如请求项12之方法,其中在该第一光电二极体至 该第三光电二极体之该形成之后,进一步包含形成 一包括复数个金属线与复数个绝缘层之多层结构 。 15.如请求项14之方法,其中该等复数个绝缘层包括 一氧化材料。 16.如请求项14之方法,其中形成于该第三光电二极 体上方之该钝化层之第三区域具有一范围为自大 约2,000 至大约30,000 的厚度。 17.如请求项12之方法,其中在该钝化层之该区域之 该蚀刻中与在该钝化层之另一区域之该蚀刻中,该 钝化层之该预定蚀刻厚度之范围为自大约100 至 大约10,000 。 图式简单说明: 图1为一展示一习知互补金属氧化物半导体(CMOS)影 像感测器之单位像素之一阵列的俯视图; 图2为一展示沿图1之线A-A'所截取之用于该习知CMOS 影像感测器之三原色红色(R)、绿色(G)及蓝色(B)之 单位像素之横截面图; 图3为一展示在相同介质中具有不同波长的入射光 之路径的图; 图4为一展示当白色光线通过透镜时形成聚焦之程 度的图; 图5为一展示在不同介质中之具有相同波长之入射 光之路径的图; 图6为一展示根据本发明之实施例之影像感测器之 单位像素的横截面图; 图7为一说明当钝化层视入射光之波长而定经形成 具有不同的厚度时而产生不同的对焦长度之图;及 图8A至8C为说明根据本发明之实施例之制造影像感 测器之方法的图。 |
