| 摘要 |
본원에는 탄소-도핑된 규소 함유 막을 증착시키기 위한 조성물로서, RSi(NRR)H(여기서, x=1, 2, 3)의 화학식을 갖는 오가노아미노알킬실란; RSi(OR)H(여기서, x=1, 2, 3)의 화학식을 갖는 오가노알콕시알킬실란; RN(SiR(NRR)H)의 화학식을 갖는 오가노아미노실란; RN(SiRLH)의 화학식을 갖는 오가노아미노실란, 및 이들의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 제 1 전구체; 및 임의적으로 화학식 Si(NRR)H을 갖는 화합물을 포함하는 제 2 전구체를 포함하는 조성물이 기술된다. 또한, 본원에는 사이클릭 화학적 기상 증착(CCVD), 원자층 증착(ALD), 플라즈마 강화 ALD(PEALD), 및 플라즈마 강화 CCVD(PECCVD)로부터 선택된, 본 조성물을 사용하여 탄소-도핑된 규소-함유 막을 증착시키는 방법이 기술된다. |
