发明名称 METHOD OF ANNEALING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 JPS6484718(A) 申请公布日期 1989.03.30
申请号 JP19870243427 申请日期 1987.09.28
申请人 FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE 发明人 OTSUKI YASUO;KIKUTA TOSHIO
分类号 H01L21/324;H01L21/265 主分类号 H01L21/324
代理机构 代理人
主权项
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