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发明名称
MANUFACTURE OF HIGH MELTING METAL SILICIDE GATE MOSFET
摘要
申请公布号
JPS6484666(A)
申请公布日期
1989.03.29
申请号
JP19870240669
申请日期
1987.09.28
申请人
MATSUSHITA ELECTRON CORP
发明人
ITO RYOICHI
分类号
H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/08;H01L29/78
主分类号
H01L27/092
代理机构
代理人
主权项
地址
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