RESONANT TUNNELING TRANSISTOR UTILIZING UPPER RESONANCE.

摘要

Un dispositif à trois bornes qui exploite l'effet de tunnel résonnant de porteurs est décrit, l'effet de tunnel résonant s'effectuant au travers de niveaux d'énergie plus élevés dans un puits quantique central pour un fonctionnement à haute vitesse. Le nouveau type de transistor unipolaire possède une région de base consistant dans le puits quantique avec une résistance de base réduite. La seconde sous-bande la plus élevée est utilisée pour l'effet de tunnel des électrons, réservant ainsi la sous-bande la plus basse pour une densité élevée de porteurs d'électrons qui abaisse la résistance de base. La base n'est pas dopée de manière à réduire la dispersion d'impuretés. Dans un mode préférentiel de réalisation, la structure à double barrière est représentée par Ga1-y' Aly' As-Ga1-xAlxAs-GaAs-Ga1-xAlyAs-Ga1-yAlyAs. D'autres modes de réalisation de l'invention utilisent d'autres matériaux III-V ou II-VI, tels que InGaAs-GaAs-GaAlAs (InGaAs pour le puits), ou HgTe-CdTe. Etant donné que le niveau le plus faible est toujours peuplé, le puits GaAs est conducteur ce qui permet de moduler la région de base.