| 发明名称 | 在高频和低频下的温度稳定介质组合物 | ||
| 摘要 | 本发明目的是制造一个具有介电常数K大于35，品质因素Q在4GHZ时，大于9000，且使焙烧温度降低到小于1350℃的介质陶瓷。该介质陶瓷主要由约35至55mol％ZrO<SUB>2</SUB>，30至50mol％TiO<SUB>2</SUB>，5至22.5mol％SnO<SUB>2</SUB>，0.5至10mol％ZnO，和0.3至2.5mol％CuO混合物烧结而成。 | ||
| 申请公布号 | CN1031520A | 申请公布日期 | 1989.03.08 |
| 申请号 | CN88104510.1 | 申请日期 | 1988.06.10 |
| 申请人 | 潭氏陶器有限公司 | 发明人 | 斯科特·萨伯·坎贝尔 |
| 分类号 | C04B35/49;H01B3/12 | 主分类号 | C04B35/49 |
| 代理机构 | 中国专利代理有限公司 | 代理人 | 肖掬昌;肖春京 |
| 主权项 | 1、一种K值在25至40范围内，Q值在4GHz下，大于9000的介质陶瓷，主要含有35mol%至55mol%ZrO2，30mol%至50mol%TiO2，5mol%至22.5mol%SnO2，0.5mol%至10mol%ZnO，和0.3mol%至2.5mol%CuO的混合物，在低于1350℃的温度下烧结而成。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||