双极晶体管

摘要

本发明的双极晶体管具有以下构成：P型半导体衬底、在衬底的表面层部分区域上形成的N+型内埋层、覆盖衬底的整个表面并埋置内埋层的N型外延层、包围内埋层并从外延层的表面贯通至衬底的P+型隔离区、被隔离区包围而分隔成岛状的外延层所构成的N型集电区、在集电区的表面层部分区域上形成的P型基区、在基区的表面层部分区域上形成的N+型发身区和在除基区以外的整个集电区表菌层上形成的N+区域。

主权项

1.一种双极晶体管，它包括，第1导电型的半导体衬底、在上述衬底的表面层部分区域上形成的第2导电型的高浓度内埋层、覆盖上述衬底的整个表面并埋置上述内埋层的第2导电型的外延层、包围上述内埋层并从上述外延层的表面贯通至衬底的第1导电型的高浓度隔离区、被上述隔离区包围而分隔成岛状的并由上述外延层构成的第2导电型的集电区、在上述集电区的表面层部分区域上形成的第1导电型的基区和在上述基区的表面层部分区域上形成的第2导电型的高浓度发射区，在上述集电区的表面层上同上述基区和上述隔离区双方接界的第2导电型的高浓度的第1区域，其特征是通过抑制发生在上述基区和第1区的PN结和上述隔离区和第1区的PN结上的耗尽层幅度，从而使上述基区和上述隔离区的间隔距离缩小。