LOW-TEMPERATURE MONOLITHIC CHIP.

摘要

La puce monolithique décrite est appropriée pour être utilisée dans un dispositif supraconducteur. La puce comprend un substrat (10) ayant une région de haute température (14) et une région de basse température (12), un dispositif supraconducteur (24) formé sur la région de basse température (12) et différentes lignes de transmission de signaux entre le dispositif et la région de haute température (14). Plusieurs configurations sont décrites pour une éventuelle séparation de la région de haute température (14) et de la région de basse température (12) ainsi que pour des lignes de signaux de grande largeur de bande (20) et de faible largeur de bande (18). Les puces peuvent avoir des substrats de géométrie différente.