Open-drain MOSFET circuit.

摘要

In einer Open-Drain-MOSFET-Schaltung mit einem an seiner Gate-Elektrode mit einem Durchschalte- bzw. Sperrsignal beaufschlagten MOS-Feldeffekttransistor (T1) ist zur Verringerung der an diesem im Sperrzustand auftretenden Drain-Gate-Spannung zwischen den MOS-Transistor und einem mit dessen Drain-Elektrode verbundene Speisespannungsquelle mit die Drain-Gate-Durchbruchsspannung des MOS-Feldeffekttransistors überschreitender Speisespannung ein zusätzlicher MOS-Feldeffekttransistor (T2) eingefügt, dessen Gate-Elektrode an einer festen, die genannte Drain-Gate-Durchbruchsspannung nicht überschreitenden Betriebsspannung liegt. Zur weiteren Spannungsverringerung kann zwischen den zusätzlichen MOS-Feldeffekttransistor und die Speisespannungsquelle wenigstens ein weiterer MOS-Feldeffekttransistor (T3) eingefügt sein, dessen Gate-Elektrode mit seiner Drain-Elektrode zusammengeschaltet ist.