| 发明名称 |
HIGH ELECTRON MOBILITY SEMICONDUCTOR DEVICE EMPLOYING SELECTIVELY DOPED HETEROJUNCTION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0155215(B1) |
申请公布日期 |
1988.07.20 |
| 申请号 |
EP19850400448 |
申请日期 |
1985.03.08 |
| 申请人 |
FUJITSU LIMITED |
发明人 |
INATA, TSUGUO;SASA, SHIGEHIKO |
| 分类号 |
H01L29/812;H01L21/338;H01L29/205;H01L29/778;(IPC1-7):H01L29/80;H01L29/36 |
主分类号 |
H01L29/812 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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