| 发明名称 |
Production process of a MOS component. |
| 摘要 |
<p>L'invention permet de gagner un masque de gravure dans la fabrication d'un composant MOS en limitant une fenêtre de gravure (60) par deux plots de protection (61,62) consommables au cours du processus. De plus l'alignement des masques de gravure suivants (68) n'a plus besoin d'une précision importante. Il est possible de réduire fortement les déclenchements parasites dûs à des composants latéraux fictifs (transistor et thyristor).</p> |
| 申请公布号 |
EP0269477(A1) |
申请公布日期 |
1988.06.01 |
| 申请号 |
EP19870402341 |
申请日期 |
1987.10.20 |
| 申请人 |
THOMSON SEMICONDUCTEURS |
发明人 |
ROUAULT, GWENAEL;GUERNER, HERVE |
| 分类号 |
H01L21/033;H01L21/336;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/033 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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