| 发明名称 | 半导体直接键合的表面处理方法 | ||
| 摘要 | 用于半导体片直接键合的表面处理方法，采用等离子体表面处理，不仅可以增加半导体表面的OH浓度，而且可以增加表面层内原子活性。从而显著增大键合强度。本方法可以在半导体表面生长绝缘层的同时完成，操作方便，成本低，便于在批量生产中应用。 | ||
| 申请公布号 | CN87105937A | 申请公布日期 | 1988.06.01 |
| 申请号 | CN87105937 | 申请日期 | 1987.12.12 |
| 申请人 | 南京工学院 | 发明人 | 吕世骥;阮宝崧;郭跃华;蔡跃明;陆明莹 |
| 分类号 | H01L21/306 | 主分类号 | H01L21/306 |
| 代理机构 | 南京工学院专利事务所 | 代理人 | 楼高潮;陆志斌 |
| 主权项 | 1、用于半导体片直接键合的表面处理方法，其特征在于将清洗好的半导片置于利用直流、直流弧、交流、高频或微波方法激发产生的等离子体中进行表面处理、处理温度为室温至1300℃，等离子体为O2、H2、N2、HN3、H2O或其适当比例混合的气体。 | ||
| 地址 | 江苏省南京市四牌楼2号 | ||