发明名称 Semiconductor amplifier circuit.
摘要 Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterverstärkerschaltung mit mindestens einer Verstärkerstufe aus vier Transistoren (T1, T2, T3, T4), von denen jeweils zwei im Gegentaktbetrieb arbeiten, bei der das Verstärkungsverhalten, insbesondere für normierte Signale, verbessert ist. Zu diesem Zweck ist das eingangsseitig erste Transistorpaar (T1, T2), an deren zusammengeschalteten Basen das Eingangssignal (UE) anliegt, als Impedanzwandler betrieben, und die jedem Transistor (T1, T2) nachgeschalteten weiteren Transistoren arbeiten jeweils als Stromquelle, die untereinander im Gegentaktbetrieb arbeiten. Es ist ein gegenpolig parallel geschaltetes Diodenpaar (D3, D4) vorhanden, das über einen Kondensator (C5) vom Ausgang der Verstärkerstufe nach Masse geführt ist. Die Erfindung ist vor allem bei Verstärkern für Anschlüsse an Busleitungen in der Datenübertragung anwendbar.
申请公布号 EP0268159(A2) 申请公布日期 1988.05.25
申请号 EP19870116350 申请日期 1987.11.05
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 BAYATI, ABUTORAB, DR.-ING.
分类号 H03F3/18;H03F3/30;H03K5/02;(IPC1-7):H03K5/08 主分类号 H03F3/18
代理机构 代理人
主权项
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