Process for manufacturing a high-voltage resistant PN junction.

摘要

Verfahren zur Herstellung eines pn-Übergangs (11) hoher Spannungsfestigkeit, der einen Halbleiterkörper (1) eines ersten Leitungstyps von einem in diesen eingefügten Halbleitergebiet (10) eines zweiten Leitungstyps trennt. Hierbei wird ein zur Herstellung des Halbleitergebiets (10) dienender Dotierstoff durch eine Grenzfläche (1a) des Halbleiterkörpers (1) in eine oberflächenseitige Zone (2) desselben eingebracht und durch einen Temperschritt tiefer eingetrieben. Zur Erzielung einer allmählichen Annäherung des pn-Übergangs (11) an die Grenzfläche (1a) wird die Zone (2) vor dem Temperschritt durch einen maskierten Ätzvorgang mit einer oder mehreren streifenförmigen Ausnehmungen (4 bis 7) versehen, die entlang der lateralen Begrenzung der Zone (2) oder jeweils in einem etwa konstanten Abstand zu ihr verlaufen.