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发明名称 ETCHING PROCESS OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 JPS6365627(A) 申请公布日期 1988.03.24
申请号 JP19860210070 申请日期 1986.09.05
申请人 ROHM CO LTD 发明人 AKIYAMA MASAYOSHI
分类号 H01L21/302;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/764 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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