Static MOS RAM and its memorizing method.

摘要

Procédé de mémorisation d'un bit d'information dans une cellule de mémoire vive statique intégrée du type MOS, transistor pour la mise en oeuvre du procédé et mémoire en résultant. Un transistor MOS à canal faiblement dopé présente un phénomène d'hystérésis en régime de conduction sous le seuil. Ce transistor est avantageusement utilisé comme élément de mémoire dans une cellule de mémoire vive statique intégrée.