一种掺金硅热敏电阻器及其制造方法

摘要

本发明属于半导体温度传感器领域。本发明采用氯化金涂层扩散，当金和本底净杂质浓度之比为1～1.5时，形成稳定性好，B值为4000K～6000K，其均匀度优于0.1％的掺金硅热敏材料，利用该材料的双面高阻层做成串联式热敏电阻，经机械调值后，元件在-30～+50℃温区阻值互换精度为0.2％。高温(85℃)存放一年的稳定性优于0.3％。本发明可广泛地应用于工业、农业，尤其是医学、生物工程、化学等多方面的温度测量与控制。

主权项

1.N型单晶硅中掺金形成敏感体，在敏感体上化学镀镍形成欧姆接触，在镍层上焊接镀银铜线作引出线，并用环氧树脂包封的掺金硅热敏电阻器，其特征在于，敏感体是在N型单晶硅的两面扩散金构成高阻层掺金N型单晶硅片。