| 发明名称 | 反射型TFT基板及反射型TFT基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种反射型TFT基板。反射型TFT基板(1)具备：基板(10)；栅电极(23)及栅配线(24)；栅绝缘膜(30)；n型氧化物半导体层(40)；由通道部(41)分隔形成的金属层(60)；像素电极(67)；以使漏配线焊盘(68)及栅配线焊盘(25)露出的状态将玻璃基板(10)的上方覆盖的保护用绝缘膜(80)。所述金属层(60)作为漏配线(66)、源电极(63)、漏电极(64)及像素电极(67)发挥作用。 | ||
| 申请公布号 | CN101379539A | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200780005049.4 | 申请日期 | 2007.01.16 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 井上一吉;矢野公规;田中信夫 |
| 分类号 | G09F9/30(2006.01);G02F1/1368(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | G09F9/30(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 1.一种反射型TFT基板，其特征在于，具有：基板；形成于所述基板的上方的栅电极及栅配线；形成于所述基板、所述栅电极及所述栅配线的上方的栅绝缘膜；形成于所述栅电极的上方的、所述栅绝缘膜的上方的氧化物层；在所述氧化物层的上方由通道部隔而形成的金属层；与源·漏电极电连接的像素电极，所述金属层至少作为所述像素电极及与所述像素电极连接的所述源·漏电极发挥作用。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||