用于气相淀积的方法和装置

摘要

一种气相淀积的方法，包括以现场监测的方法测试半导体薄膜的生长。根据本发明，入射光束在几乎垂直于生长膜表面的方向上，照射到生长膜的表面。膜的生长参数能够由膜表面反射光变化测试出来。根据测出的生长参数，可以反馈控制气相淀积室中的生长条件。

主权项

1、一种控制气相淀积生长薄膜的成分及其生长的方法，包括下列步骤：光束照射到上述薄膜表面上，该光束的入射角近似地与薄膜表面成直角，接收从薄膜上反射的光束，用来监测生长参数和产生生长参数指示信号，并且根据该生长参数指示信号反馈控制薄膜的生长条件。