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Une intense radiation laser dans l'ultraviolet extrême est appliquée à une pièce à usiner pendant le processus de production de circuits intégrés, comprenant des processus d'ablation, de dépôt, d'implantation d'impuretés ainsi que des procédés chimiques induits par la radiation. D'autres processus où la radiation laser intense dans l'ultraviolet extrême est appliquée comprennent le durcissement et le recuit d'une pièce à usiner en l'exposant à la radiation. Des formes particulières de réalisation de l'invention permettent l'élimination sélective d'un film polymère sur un substrat semiconducteur par photodécomposition ablative (APD) utilisant une intense radiation dans l'ultraviolet extrême, ou de longueur d'onde plus courte, produite par un laser pulsé, ce procédé consistant à focaliser la radiation laser pour obtenir une énergie lumineuse laser de fluence suffisamment élevée pour effectuer l'ablation d'une zone sélectionnée du polymère jusqu'à une profondeur utile et en un temps raisonnable, que l'on appelle parfois le seuil de fluence des impulsions laser nécessaire pour produire une photodécomposition ablative (APD) efficace du polymère. Cela est obtenu grâce à un système lenticulaire d'objectif réfléchissant entre le laser et le film polymère, ce système focalisant le faisceau laser sur une zone cible de la surface du film de manière à obtenir une image de fluence élevée du faisceau dépassant le seuil d'APD. Toutes les surfaces optiques du système d'objectif sont réfléchissantes et ne sont par conséquent pas endommagées par l'intense radiation, endommagement qui peut se produire dans le cas des lentilles réfractives. Dans une variante préférée, le système d'objectif réfléchissant comprend deux réflecteurs consistant en un grand réflecteur concave pourvu d'une ouverture d'entrée au centre en face de la cible et un petit réflecteur convexe situé au centre et orienté dans une direction opposée à la cible. Ledit système se compose également d'un système optique disposé entre le laser et le système d'objectif |
