| 发明名称 |
Turn-off power semiconductor device and method of making the same. |
| 摘要 |
Bei einem über ein Gate abschaltbaren Leistungshalbleiterbauelement vom GTO- bzw. FCTh-Typ mit einer Steuerzone aus abwechselnd angeordneten, fein unterteilten Kathodenfingern (18) und Gategräben (9) werden die Gategräben (9), vorzugsweise durch einen Kritallrichtungs-selektiven nasschemischen Aetzprozess, als schmale tiefe Schlitze ausgeführt, während im übrigen Bereich des Halbleitersubstrats (1) die ursprüngliche Substratoberfläche (8) erhalten bleibt. Dieser quasi-planareAufbau bietet gegenüber demherkömmlichen "recessed gate"-Aufbau eine Reihe von Vorteilen im elektrischen Verhalten, bei der Integration von Hilfsfunktionen und bei der Herstellung.
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| 申请公布号 |
EP0243684(A1) |
申请公布日期 |
1987.11.04 |
| 申请号 |
EP19870104460 |
申请日期 |
1987.03.26 |
| 申请人 |
BBC AKTIENGESELLSCHAFT BROWN, BOVERI & CIE. |
发明人 |
GOBRECHT, JENS, DR.;GRUNING, HORST, DR.;VOBORIL, JAN |
| 分类号 |
H01L29/80;H01L29/04;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/739;H01L29/74;H01L29/744;(IPC1-7):H01L29/10;H01L29/60;H01L29/72;H01L21/308 |
主分类号 |
H01L29/80 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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