| 发明名称 |
STRUCTURE D'INTERCONNEXION DE PLOT DE SOUDAGE |
| 摘要 |
<P>L'invention concerne la technologie des semiconducteurs. <BR/> Un dispositif à semiconducteurs comportant une région active dans laquelle se trouvent des plots de métallisation 12, comporte une couche de polyimide 20 formée sur la région active ; une couche résistant au percement 22 formée sur la couche de polyimide ; et des interconnexions métalliques 24 qui connectent des plots de métallisation à des plots de soudage 30 situés sur la région active. La couche de polyimide et la couche résistant au percement protègent la région active au cours d'opérations de soudage par thermocompression effectuées sur le plot de soudage. <BR/> Application à la fabrication de circuits intégrés. <BR/> (CF DESSIN DANS BOPI)<BR/> <BR/></P>
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| 申请公布号 |
FR2591815(A1) |
申请公布日期 |
1987.06.19 |
| 申请号 |
FR19860011633 |
申请日期 |
1986.08.12 |
| 申请人 |
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
发明人 |
HEM P. TAKIAR ET THOMAS GEORGE;GEORGE THOMAS |
| 分类号 |
H01L23/52;H01L21/312;H01L21/318;H01L21/3205;H01L21/60;H01L23/485;H01L23/532 |
主分类号 |
H01L23/52 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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