发明名称 | 半导体致冷的环块电堆及其热耦合技术 | ||
摘要 | 本发明提供了一种供半导体致冷器用的环块电堆及热耦合技术。该发明的特点是采用了环块电堆结构,和新的热耦合技术,而且,电堆采用了非刚性定位结构。解决了电堆与筒体的接触问题,也适应了由于电堆温差存在而引起的热膨胀及所造成的应力变化,减小了寄生温差,提高了热响应能力。本发明可用于半导体致冷器中,也可用于其它有同类要求的仪器设备中。 | ||
申请公布号 | CN85108528A | 申请公布日期 | 1987.06.10 |
申请号 | CN85108528 | 申请日期 | 1985.11.14 |
申请人 | 西北大学 | 发明人 | 钟广学 |
分类号 | F25B21/00 | 主分类号 | F25B21/00 |
代理机构 | 西北大学专利事务所 | 代理人 | 王明轩;张建申 |
主权项 | 1、一种由冲压成型的导流片,半导体致冷器件,电堆支架,以及耦合材料构成的半导体致冷电堆,其特征在于采用了环块状电堆结构。 | ||
地址 | 陕西省西安市小南门外 |