发明名称 半导体致冷的环块电堆及其热耦合技术
摘要 本发明提供了一种供半导体致冷器用的环块电堆及热耦合技术。该发明的特点是采用了环块电堆结构,和新的热耦合技术,而且,电堆采用了非刚性定位结构。解决了电堆与筒体的接触问题,也适应了由于电堆温差存在而引起的热膨胀及所造成的应力变化,减小了寄生温差,提高了热响应能力。本发明可用于半导体致冷器中,也可用于其它有同类要求的仪器设备中。
申请公布号 CN85108528A 申请公布日期 1987.06.10
申请号 CN85108528 申请日期 1985.11.14
申请人 西北大学 发明人 钟广学
分类号 F25B21/00 主分类号 F25B21/00
代理机构 西北大学专利事务所 代理人 王明轩;张建申
主权项 1、一种由冲压成型的导流片,半导体致冷器件,电堆支架,以及耦合材料构成的半导体致冷电堆,其特征在于采用了环块状电堆结构。
地址 陕西省西安市小南门外