| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR EN COUCHES MINCES A GRILLE AUTO-ALIGNEE PAR RAPPORT AU DRAIN ET A LA SOURCE DE CELUI-CI |
| 摘要 |
<P>PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR EN COUCHES MINCES A GRILLE AUTO-ALIGNEE PAR RAPPORT AU DRAIN ET A LA SOURCE DE CELUI-CI.</P><P>LE PROCEDE CONSISTE A REALISER SUR UN SUBSTRAT 2 LA GRILLE 4 DU TRANSISTOR; A DEPOSER SUR LE SUBSTRAT ET LA GRILLE UNE COUCHE D'ISOLANT 6; A DEPOSER SUR LA COUCHE D'ISOLANT UNE PREMIERE COUCHE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE 8; A DEPOSER SUR LA PREMIERE COUCHE DE SILICIUM UNE SECONDE COUCHE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE DE TYPE N10 ET A REALISER LA SOURCE ET LE DRAIN DU TRANSISTOR.</P><P>APPLICATION A LA REALISATION DE MATRICES ACTIVES POUR ECRANS PLATS A CRISTAUX LIQUIDES.</P>
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| 申请公布号 |
FR2590406(A1) |
申请公布日期 |
1987.05.22 |
| 申请号 |
FR19850016921 |
申请日期 |
1985.11.15 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A ENERGIE ATOMIQUE |
发明人 |
BERNARD DIEM |
| 分类号 |
H01L29/78;G02F1/1368;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/18 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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