| 发明名称 |
FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH BURIED OXIDE |
| 摘要 |
La capacitance base-collecteur (53Ç) est réduite dans un dispositif à semi-conducteur en utilisant un oxyde enfoui (37) qui s'aligne lui-même par rapport à une région active (57) du dispositif à semi-conducteur. L'emploi de l'oxyde enfoui (37) permet de réduire l'échelle ou de restreindre la région active (57) du dispositif qui à son tour augmente la vitese dudit dispositf. En outre, la zone (39, 38) au-dessus de l'oxyde enfoui est créée afin de réduire la résistance (54) dans la région active. |
| 申请公布号 |
WO8701238(A1) |
申请公布日期 |
1987.02.26 |
| 申请号 |
WO1986US01273 |
申请日期 |
1986.06.13 |
| 申请人 |
MOTOROLA, INC. |
发明人 |
MCLAUGHLIN, KEVIN, L.;BIRRITTELLA, MARK, S. |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L21/36;H01L21/385;H01L21/76;H01L21/762;H01L27/12;H01L29/06;H01L29/72;(IPC1-7):H01L21/36 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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