| 摘要 |
<P>PROCEDE DE FABRICATION D'UN CIRCUIT INTEGRE ET NOTAMMENT D'UNE MEMOIRE EPROM COMPORTANT DEUX COMPOSANTS DISTINCTS ISOLES ELECTRIQUEMENT.</P><P>CE PROCEDE CONSISTE A REALISER UN POINT MEMOIRE COMPORTANT UN PREMIER ISOLANT, UNE PREMIERE GRILLE, UN SECOND ISOLANT ET UNE SECONDE GRILLE EMPILES, ET UN CIRCUIT PERIPHERIQUE COMPORTANT UN TROISIEME ISOLANT ET UNE TROISIEME GRILLE EN DEPOSANT SUR LE SUBSTRAT 8 UNE COUCHE 110 DE PREMIER ISOLANT, UNE PREMIERE COUCHE CONDUCTRICE 112, UNE COUCHE DE SECOND ISOLANT 116, GRAVANT LA COUCHE DE SECOND ISOLANT ET DE LA PREMIERE COUCHE CONDUCTRICE POUR NE GARDER DU SECOND ISOLANT ET DU MATERIAU CONDUCTEUR QU'A L'ENDROIT OU SERA REALISE LE PREMIER COMPOSANT, ELIMINANT LES REGIONS DE LA COUCHE DE PREMIER ISOLANT MISES A NU, DEPOSANT LE TROISIEME ISOLANT 130 A L'ENDROIT OU SERA REALISE LE SECOND COMPOSANT, DEPOSANT UNE SECONDE COUCHE CONDUCTRICE 114, REALISANT LA SECONDE ET LA TROISIEME GRILLE, PAR GRAVURE DE LA SECONDE COUCHE CONDUCTRICE, ET LA PREMIERE GRILLE PAR UNE SECONDE GRAVURE DE LA COUCHE DE SECOND ISOLANT ET DE LA PREMIERE COUCHE CONDUCTRICE.</P>
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