发明名称 DISPOSITIF ELECTRIQUE DE PUISSANCE INTELLIGENT A CIRCUIT INTEGRE MONOLITHIQUE
摘要 <P>A UN ELEMENT DE PUISSANCE 1 DU TYPE MOS, EST ASSOCIE AU MOINS UN CIRCUIT DE PILOTAGE 6 DU TYPE CMOS ALIMENTE PAR UN CONDENSATEUR 11 CHARGE PAR UNE TENSION PRELEVEE SUR LE CIRCUIT DE PUISSANCE 2, 3, 5 PENDANT LES PHASES DE COUPURE DE L'ELEMENT DE PUISSANCE 1. L'ENSEMBLE DU DISPOSITIF EST DE PREFERENCE INCLUS DANS UNE UNIQUE PUCE MONOLITHIQUE 15, A L'EXCEPTION DU CONDENSATEUR 11 QUI RESTE A L'EXTERIEUR.</P>
申请公布号 FR2583236(A1) 申请公布日期 1986.12.12
申请号 FR19860008399 申请日期 1986.06.10
申请人 SGS MICROELETTRONICA SPA 发明人 GIUSEPPE FAINI
分类号 H02J1/00;H03K17/08;H03K17/687;(IPC1-7):H03K17/687 主分类号 H02J1/00
代理机构 代理人
主权项
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