METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES AND DEVICES FORMED THEREBY.

摘要

Nouveau procédé de fabrication de dispositifs semiconducteurs, en particulier des dispositifs MOS complémentaires, de même que les dispositifs fabriqués par ce procédé. Le procédé implique l'incorporation de dopants dans un substrat semiconducteur (par exemple 10) à travers une région (par exemple 50) de la surface (par exemple 20) du substrat, et la diffusion des dopants implantés dans le substrat pour former un bassin. Avant l'étape de diffusion, on forme une tranchée (par exemple 80) dans la surface qui entoure partiellement ou complètement la région, et qui s'étend au-dessous de celle-ci. La tranchée sert à empêcher la formation d'une région à concentration relativement basse de dopant, à réduire son étendue, et à empêcher l'enclenchement. Autrement, des courants indésirables de fuite pourraient se produire dans le dispositif achevé à MOS complémentaire.