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<P>A.PROCEDE DE DEVELOPPEMENT D'UN FILM D'UN MONOCRISTAL GAAS, SOUS LA FORME D'UNE SEULE COUCHE MOLECULAIRE.</P><P>B.PROCEDE CARACTERISE EN CE QU'ON REALISE LE VIDE A L'INTERIEUR DU RESERVOIR 1 DE DEVELOPPEMENT A UNE PRESSION PREDETERMINEE; ON INTRODUIT LE GAZ TEG TRIETHYLGALLIUM 8 DANS CE RESERVOIR DE DEVELOPPEMENT 1 SOUS UNE PRESSION PREDETERMINEE PENDANTUN TEMPS PREDETERMINE, ET APRES L'EVACUATION DU GAZ TEG, ON INTRODUIT LE GAZ ASH (ARSINE) 9 DANS CE RESERVOIR DE DEVELOPPEMENT SOUS UNE PRESSION PREDETERMINEE PENDANT UN TEMPS PREDETERMINE ET ON REPETE LE CYCLE POUR DEVELOPPER AU MOINS PRATIQUEMENT UNE COUCHE MOLECULAIRE POUR FORMER UN FILM D'UN MONOCRISTAL GAAS D'EPAISSEUR VOULUE A LA PRECISION D'UNE COUCHE MOLECULAIRE.</P><P>C.L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE DEVELOPPEMENT D'UN FILM D'UN MONOCRISTAL GAAS SOUS LA FORME D'UNE SEULE COUCHE MOLECULAIRE.</P>
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