场效应晶体管组成的集成电路和一种可编程序的只读存贮器

摘要

通道较短的场效应晶体管可望用于执行高速的逻辑操作。然而，它们不能承受起(E)EPROM必须运行的较高的编程和抹除电压。在编程周期内上述场效应晶体管均被保持在电流截止状态，其时正好通过逻辑操作将取得的信息记录下来，但是“快”晶体管却可承受所谓的较高电压。

主权项

1、一集成在半导体基片上的逻辑存贮电路，它具有至少一个可抹可编程序的存贮单元矩阵，该矩阵受控于由绝缘栅场效应晶体管(MOST′S)构成的控制部件，特征为：编程装置，用于将一个编程电压加到所述的存贮矩阵上去，该编程电压高于多个处于电流导通状态下的场效应晶体管源漏极之间的击穿电压，但低于其电流截止状态时的击穿电压。以及转换装置，用于产生和/或保持场效应晶体管于电流截止状态，同时将它们的逻辑信息记录下来。