PROCEDE DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES EN TECHNOLOGIE MOS ET CMOS ET STRUCTURE CMOS CORRESPONDANTE

摘要

L'INVENTION PROPOSE UN PROCEDE DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES A TRANSISTORS MOS ET CMOS. CE PROCEDE UTILISE COMME ELECTRODES DE GRILLE 58, 60, DE SOURCE 62, 64 ET DE DRAIN 66, 68 UNE COUCHE UNIQUE DE SILICIURE METALLIQUE. POUR UNE STRUCTURE CMOS UN FAIBLE RISQUE DE DECLENCHEMENT DE THYRISTORS PARASITES "LATCHUP" EST OBTENU EN REALISANT UN CONTACT QUASI-SCHOTTKY ENTRE LES ELECTRODES DE SOURCE ET DRAIN ET LE SILICIUM MONOCRISTALLIN DES TRANSISTORS A CANAL P.