| 摘要 |
L'INVENTION CONCERNE UNE MEMOIRE EN CIRCUIT INTEGRE DANS LAQUELLE UN CIRCUIT DE REPARATION 36 PERMET DE SUBSTITUER UNE LIGNE DE CELLULES REDONDANTE III A UNE LIGNE DE CELLULES II QUI S'EST AVEREE DEFECTUEUSE. DANS L'INVENTION ON ACCEDE AU CIRCUIT DE REPARATION EN UTILISANT LES PROPRIETES DU DECODEUR 43 DE LA MEMOIRE. UNE INSTRUCTION DE DECOMPOSITION 54 D'UN FUSIBLE 38 EST DONNEE, POUR TOUS LES CIRCUITS DE REPARATION DE LA MEMOIRE, PAR UNE BORNE EXTERIEURE 51 UNIQUE RELIEE A UNE CONNEXION 50 QUI DESSERT 49 TOUS LES CIRCUITS DE REPARATION. LORSQUE LE FUSIBLE EST DECOMPOSE, UN CIRCUIT BISTABLE 37 CHANGE L'ETAT ET COMMUTE 40 LES LIGNES DE CELLULES. |
