发明名称 HOT ELECTRON UNIPOLAR TRANSISTOR
摘要 Une structure de transistor comprend une couche semiconductrice de base située entre un émetteur et un collecteur. La couche de base n'est pas dopée, ce qui provoque la génération à l'intérieur de celle-ci, pendant le fonctionnement, d'une couche d'inversion qui se propage dans des directions transversales par rapport au trajet du courant émetteur-collecteur.
申请公布号 WO8604184(A1) 申请公布日期 1986.07.17
申请号 WO1985US02583 申请日期 1985.12.23
申请人 AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY 发明人 LURYI, SERGEY
分类号 H01L29/68;H01L29/205;H01L29/225;H01L29/76;H01L29/772;(IPC1-7):H01L29/72 主分类号 H01L29/68
代理机构 代理人
主权项
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